特許
J-GLOBAL ID：200903052217186949
固体撮像装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236841
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094692
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 Ti系反射防止膜やTi系バリアメタルを設ける場合に、Ti化合物における水素吸着を抑止して、基板界面の水素化処理工程において界面準位を充分減少させるようにして、スミアの抑制及び暗電流の低減化をはかる。【構成】 基板1上に、電荷転送領域4、ゲート電極5及びセンサ部6を形成した後、転送領域4上に、Ti系反射防止膜8及び遮光膜9を形成する固体撮像装置の製造方法において、Ti系反射防止膜8を被着する工程以後に、このTi系反射防止膜8に水素を過飽和状態とする水素供給工程を設ける。
請求項（抜粋）：
基板上に、転送領域、ゲート電極及びセンサ部を形成した後、上記転送領域上に、Ti系反射防止膜及び遮光膜を形成する固体撮像装置の製造方法において、上記Ti系反射防止膜被着以後に、これに水素を過飽和状態とする水素供給工程を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (2件)：
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