特許

J-GLOBAL ID：200903052218914689

多結晶シリコン薄膜の形成方法

発明者： 毛利 幹雄 ,  柿沼 弘明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192984
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055808
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 膜厚が薄く、かつ結晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成する方法を提供する。【構成】 基板10上に多結晶シリコンからなる第1薄膜12を最終的に形成しようとする多結晶シリコン薄膜の膜厚よりも薄く形成する。続いて、第1薄膜を、この第1薄膜の表面に現れる特定の面に対してエッチングレートが小さい異方性エッチング溶液を用いてエッチングする。このようにして、主として特定の配向性を有し、かつ次の結晶成長のための種結晶14を形成する。その後、種結晶を利用して基板上に多結晶からなる第2薄膜を形成することにより、種結晶と第2薄膜とで多結晶シリコン薄膜18を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法を用いて多結晶シリコン薄膜を形成するに当たり、(a)基板上に、多結晶シリコンからなる第1薄膜を最終的に形成しようとする多結晶シリコン薄膜の膜厚よりも薄く形成する工程と、(b)該第1薄膜を、該第1薄膜の表面に現れている特定の面に対してエッチングレートが小さい異方性エッチング溶液を用いてエッチングして、主として特定の配向性を有し、かつ次の結晶成長のための種結晶を形成する工程と、(c)その後、前記種結晶を利用して前記基板上に、多結晶シリコンからなる第2薄膜を形成することによって、前記種結晶と第2薄膜とで多結晶シリコン薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする多結晶シリコン薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/308