特許
J-GLOBAL ID：200903052223503778
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249075
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104279
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極の一部を改質化して、半導体層に不純物を添加する際のマスクを精度よく形成すると同時に、ゲート電極とドレイン領域とのソース・ドレイン方向に対する重なりを制御してLDD構造のTFTを作製することを目的としている。【構成】 透光性ガラス基板1上に活性半導体層2を形成した上に、ゲート絶縁層5を形成する。さらに、ゲート電極6を形成し、これをマスクとしてイオン注入法などにより不純物をを導入して低不純物濃度の半導体層3を形成する。次に、陽極酸化法などによってゲート電極6の表面に陽極酸化層7を形成し、ゲート電極6および陽極酸化層7をマスクとしてイオン注入法などにより不純物を導入して高不純物濃度の半導体層4を形成する。その上に、層間絶縁層8を形成した後、コンタクトホールおよび、ソース電極9とドレイン電極10を形成してTFTが完成する。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に所定の形状の電極を形成する工程と、前記電極をマスクとして前記半導体薄膜の一部の領域に不純物を添加する工程と、前記電極の一部を改質層とする工程と、前記電極および前記改質層をマスクとして前記半導体薄膜の一部の領域に不純物を添加する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
