特許
J-GLOBAL ID：200903052224045579
半導体光デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179313
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038204
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 再現性よく光の結合定数を設計値に設定された回折格子を有する半導体レーザを得る。【構成】 第1の半導体層4a上に配置された、マストランスポートの起こりにくい半導体層5aと該層と異なる半導体材料からなる層5bを交互に複数層積層してなる超格子構造層を成形して形成された回折格子形成体5と、該回折格子形成体5を埋め込むように気相成長された第2の半導体層4bとを備えた構成とした。
請求項（抜粋）：
第1の半導体層上に配置された、マストランスポートの起こりにくい半導体層と該層と異なる半導体材料からなる層を交互に複数層積層してなる超格子構造層を成形して形成された回折格子形成体と、該回折格子形成体を埋め込むように気相成長された第2の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (2件)：
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