特許

J-GLOBAL ID：200903052231272777

半導体発光素子

発明者： 尺田 幸男
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219892
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083956
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 ダブルヘテロ接合構造の半導体発光素子であって、発光効率が高く、かつ動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。【構成】 n型クラッド層4と活性層5とp型クラッド層6のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる。

請求項（抜粋）：

n型クラッド層と活性層とp型クラッド層のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-217986
  
• 特開平4-087378
  
• 特開平4-127595
  
• 特開平4-111375