特許

J-GLOBAL ID：200903052235154345

半導体配線の構造

発明者： 石田 芳弘 ,  宮崎 太一 ,  村田 靖
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-163681
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354563
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 ポリイミドを絶縁膜とし、再配線したバンプ構造で、無電解型の半田バンプを作るとき、スパッターが2工程になってしまい、安価な再配置バンプが作れなかった。【解決手段】 バリアメタルにNi/V、中間層に銅、最上層にNi/Vの構造にし、再配線形成時に最上層のNi・Vのパッド面部をエッチングする構造にすることで、スパッターを1工程で無電解型半田バンプを形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上のオリジナルパッドを位置の違う新しいボンディングパッドに再配線し、該再配線の保護膜にポリイミド系樹脂を使い、前記新しいボンディングパットに突起電極をつける構造において、再配線構造が3層であり、前記突起電極の下の金属構造が2層であることあることを特徴とする半導体配線の構造。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/92 602 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 E