特許

J-GLOBAL ID：200903052238049917

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 西川 孝司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269506
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117036
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 単一横モード発振が可能な半導体レーザ素子に関するものである。【解決手段】II-VI 族系結晶からなる活性層と該活性層の厚み方向上下に積層されたII-VI 族系結晶からなる厚み方向導波層とを、GaAs基板上に積層してなる半導体レーザ素子において、上記基板上面から活性層に至る下側の厚み方向導波層のいずれかの位置に、電流通路となる開口部を設けたII-VI 族系結晶よりなる横方向光閉じ込め層を積層した構成とする。これによって、実屈折率型の単一横モードの半導体レーザ素子を構成することができるとともに、上記横方向光閉じ込め層に電流狭窄機能をも待たすことが可能となる。

請求項（抜粋）：

II-VI 族系化合物半導体からなる活性層と該活性層の厚み方向上下に積層されたII-VI 族系化合物半導体からなる厚み方向導波層とを、基板上に積層してなる半導体レーザ素子において,上記基板上面から活性層に至る下側の厚み方向導波層のいずれかの位置に、電流通路となる開口部を設けたII-VI 族系化合物半導体よりなる横方向光閉じ込め層を積層したことを特徴とする半導体レーザ素子。