トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-056955
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258335
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】大きな磁気抵抗比を示し、バイアス電圧によるTMR比の低下が小さく、高い耐熱性を有するトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】トンネル磁気抵抗効果素子のトンネル絶縁層を形成する工程に於いて、トンネル絶縁層前駆体である導電層を形成する第1の工程と、前記導電層を酸化する第2の工程とを含み、導電層を形成する第1の工程において成膜速度が0.4Å/秒以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の強磁性層、トンネル絶縁層、第2の強磁性層がこの順に積層され、前記第1の強磁性層と第2の強磁性層の磁化方向の相対角度の違いによりトンネル磁気抵抗が異なるトンネル磁気抵抗効果素子において、前記トンネル絶縁層前駆体である導電層を形成する第1の工程と、前記導電層を酸素雰囲気中で酸化させる第2の工程を含み、前記第1の工程において、前記導電層は0.4Å/秒以下の成膜速度でAl、Mg、Si、Taの少なくとも1種から形成されることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 43/12 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (8件)：

H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/08 P , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447 , G01R 33/06 R

Fターム (20件)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034BA18 , 5D034CA02 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA12 , 5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR01 , 5F083PR04 , 5F083PR22

前のページに戻る