特許
J-GLOBAL ID：200903052243594737
温度検出回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-511889
公開番号（公開出願番号）：特表2001-502435
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：
【要約】電力半導体装置(MOSFET/IGBT)と集積化するのに適した温度検出回路は、第1及び第2IGFET(M1及びM2)と一緒に集積化された温度検出用p-nダイオード手段(D1、D2等)を含む。温度検出用p-nダイオード手段(D1、D2等)通る電流路が、負の温度係数を有する電圧降下(Vf)を生じる。IGFET(M1及びM2)はそれぞれ別々の電流路中に結合されてこれらのソース及びゲート電極(s及びg)間に別々のゲート-ソース電圧信号(Vgs1及びVgs2)を有するようになっている。第1IGFET(M1)のゲート-ソース電圧(Vgs1)は第2IGFET(M2)のゲート-ソース電圧(Vgs2)の温度係数(存在する場合)よりも大きな値の負の温度係数を有する。第1IGFET(M1)のソース及びゲート電極(s及びg)の一方がp-nダイオード手段(D1、D2等)に結合され、第1及び第2IGFET(M1及びM2)が比較器(COMP)として又はこの比較器と一緒に互いに結合されてp-nダイオード手段(D1、D2等)の電圧降下(Vf)をIGFET(M1及びM2)のゲート-ソース電圧信号(Vgs1及びVgs2)間のいかなる差とも比較し、温度しきい値に関連する検出温度を表す論理出力信号(Tabs)を生じるようになっている。
請求項（抜粋）：
温度検出回路において、該温度検出回路が、 負の温度係数を有する電圧降下を生ぜしめる温度検出用p-nダイオード手段 を通る電流路と、 互いに同じ絶縁ゲート電界効果型である第1及び第2トランジスタであって 、互いに別々の電流路内で、これらのソース及びゲート電極間にゲート-ソー ス電圧信号をそれぞれ有するように結合されている当該第1及び第2トランジ スタとを具え、 第1トランジスタのゲート-ソース電圧が第2トランジスタのゲート-ソー ス電圧のいかなる温度係数よりも値が大きな負の温度係数を有し、第1トラン ジスタのソース及びゲート電極のうちの一方の電極が前記p-nダイオード手 段に結合されており、第1及び第2トランジスタが比較回路において互いに結 合され、この比較回路がp-nダイオード手段の電圧降下を、第1及び第2ト ランジスタのゲート-ソース電圧信号間のいかなる差とも比較して検出温度を 表す出力信号を温度しきい値と関連して発生させるようになっており、第2ト ランジスタが第1トランジスタのゲートしきい値と平衡するゲートしきい値を 有し、比較回路に温度しきい値に対応する基準レベルを与えるようになってい ることを特徴とする温度検出回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01K 7/00 391 C
, H01L 29/78 657 G
