特許

J-GLOBAL ID：200903052254531346

リソグラフイ用マスク及び製造方法

発明者： 重光 文明 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-119465
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】極めて簡単に、寸法精度及び解像度の優れたリソグラフィ用マスク及び製造方法を提供することが目的である。【構成】透明石英ガラス板1上に厚さ0.2μmのSnO2 薄膜2を形成する。該SnO2 薄膜2に電子ビ-ム3を20μC/cm2 、0.5μmのアドレスユニット(ビ-ム径)の条件で選択的に照射する。このとき、還元反応(SnO2→Sn+O2 )が進み、上記電子ビ-ム3が照射された部分は遮蔽性を有する還元物(Sn)4に変化し、リソグラフィ用マスクとなる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板と、上記ガラス基板上に形成された光透過性を有する酸化金属薄膜からなる透過部と、上記透過部を除く上記酸化金属薄膜部分を高エネルギ-線により還元することによって形成された遮蔽性を有する遮光部とからなるリソグラフィ用マスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-212447
  
• 特開昭49-081025
  
• 特開平2-244045