特許

J-GLOBAL ID：200903052259972642

電子デバイスの作製方法及び電子デバイス

発明者： 荒牧 晋司
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180269
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023071
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】電子デバイスの網目状或いは多孔質状の電極を、その構造を制御して容易に作製することができ、特に蒸着等の真空プロセスによる電子デバイスの作製方法と、この方法により作製された電子デバイスを提供する。【解決手段】基体上に、電極材料と、この電極材料と不混和性の物質とを含む電極前駆層を真空プロセスにより形成した後、この電極前駆層から不混和性物質を除去することにより、網目状或いは多孔質状の電極を形成する。基体上の電極形成予定領域に粒状物質24Aを分散させて配置した後に、電極材料25Aをこの電極形成予定領域に成膜し、その後粒状物質24Aを除去することにより、基体上に網目状或いは多孔質状の電極25を形成する【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基体上に網目状或いは多孔質状の電極を形成する工程を有する電子デバイスの作製方法において、 基体上に、電極材料と、該電極材料と不混和性の物質とを含む電極前駆層を真空プロセスにより形成した後、 該電極前駆層から前記電極材料と不混和性の物質を除去することにより、前記網目状或いは多孔質状の電極を形成することを特徴とする電子デバイスの作製方法。

IPC (8件)：

H01L29/423 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L51/00

FI (9件)：

H01L29/58 G ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/44 P ,  H01L29/28 ,  H01L29/80 L

Fターム (57件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD68 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  5F102FB01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL01 ,  5F102GS10 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT10 ,  5F102HC11 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE24 ,  5F110EE43 ,  5F110EE47 ,  5F110EE48 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33