特許
J-GLOBAL ID:200903052262048093
球状単結晶シリコンの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-180474
公開番号(公開出願番号):特開平11-012091
出願日: 1997年06月20日
公開日(公表日): 1999年01月19日
要約:
【要約】【課題】 球状で形状のむらがなく、しかもコンタミネーションの混入もなく、高品質であり、半導体デバイス用として好適に使用できる球状単結晶シリコンを製造する。【解決手段】 高周波熱プラズマ法により作製された球状多結晶シリコンの周囲を熱酸化膜で被覆した後、この熱酸化膜被覆球状多結晶シリコンの一部を加熱溶融し、その溶融部分を移動させながら最結晶化することを特徴とする球状単結晶シリコンの製造方法。
請求項(抜粋):
高周波熱プラズマ法により作製された球状多結晶シリコンの周囲を熱酸化膜で被覆した後、この熱酸化膜被覆球状多結晶シリコンの一部を加熱溶融し、その溶融部分を移動させながら再結晶化することを特徴とする球状単結晶シリコンの製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/06
, C30B 33/02
, H01L 21/208
FI (3件):
C30B 29/06 B
, C30B 33/02
, H01L 21/208 M
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭58-055393
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特開昭57-149815
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特開昭63-079794
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