特許
J-GLOBAL ID:200903052262642742

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 英彦 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-042631
公開番号(公開出願番号):特開平7-249706
出願日: 1994年03月14日
公開日(公表日): 1995年09月26日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置の配線層の段切れを防ぐこと。【構成】 基板11の表面11a側に形成された凹部12、13に、この凹部12、13の開口部12a、13aの面積より所定量小さい表面面積の半導体チップ14、15を前記凹部12、13に配設し、この半導体チップ14、15の表面14a、15a上と半導体チップ14、15周囲の凹部12、13及び前記基板11の表面11a側に絶縁層16を設け、その絶縁層16上に配線層17を形成した半導体装置において、前記半導体チップ14、15の表面14a、15aを前記基板11の表面11aから突出させたこと。
請求項(抜粋):
基板の表面側に形成された凹部に、この凹部の開口面積より所定量小さい表面面積の半導体チップを配設し、この半導体チップの表面上と半導体チップ周囲の凹部及び前記基板の表面側に絶縁層を設け、その絶縁層上に配線層を形成した半導体装置において、前記半導体チップの表面を前記基板の表面から突出させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/04 ,  H01L 23/28

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