特許
J-GLOBAL ID：200903052264683640
半導体表面の温度と表面上に形成された膜の厚さを 測定する装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
縣 浩介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339659
公開番号（公開出願番号）：特開平7-159132
出願日： 1993年12月04日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板に蒸着膜を形成する場合の基板表面温度制御と膜厚の制御を同時に行う装置【構成】 半導体表面の光の反射率は半導体のエネルギーバンドのバンドギャップに相当する波長の前後で変化し、その波長が温度で変わることを利用して基板の温度を検出すると共に、その時使用する光を偏光とし、分光偏光解析手段によって膜厚を検出するようにした。【効果】温度と膜厚の検出が相互同時にできるので、半導体デバイスの品質管理が正確にできる。
請求項（抜粋）：
試料面に励起光を照射する手段と、この励起光をオンオフする手段と、試料面上の励起光照射点に励起光と異る波長の測定光を照射する手段と、この測定光の光路に挿入された偏光子と、試料面から反射される上記測定光の反射光路上に挿入された回転検光子と、この回転検光子の後方に置かれ測定光を検出する光検出手段と、この光検出手段の出力から上記オンオフ手段の動作周期と同期した周波数の信号を取出す手段と同手段の出力の振幅の変化を検出するデータ処理手段と、上記光検出手段の出力から直流成分を取出す手段と同手段の出力信号と上記検光子の回転角位置とから分光偏光解析を行うデータ処理手段とよりなることを特徴とする半導体表面の温度と表面上に形成された膜の厚さを測定する装置。
IPC (4件)：
G01B 11/06
, G01J 3/28
, G01J 4/00
, G01N 21/21
