特許

J-GLOBAL ID：200903052265427770

発光ダイオードアレイ

発明者： 小泉 真澄 ,  藤原 博之 ,  登 正治 ,  小椋 茂樹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084042
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277806
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 発光光量が大きく、低コストの発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 共通の基板10上に、活性層13を下部クラッド層12及び上部クラッド層14で挟んでなるダブルへテロ構造部と、上面側クラッド層上に設けたオーミック層15と、オーミック層上に設けた個別電極3と、基板裏面側に設けた共通電極18とを少なくとも有する発光ダイオードを、個々に素子分離して複数個アレイ状に配列した発光ダイオードアレイにおいて、前記活性層13がN型からなり、そのキャリア濃度を1×1017cm-3〜5×1018cm-3の範囲とし、その厚みを0.05μm以上とした。

請求項（抜粋）：

共通の基板上に、活性層を下部クラッド層及び上部クラッド層で挟んでなるダブルへテロ構造部と、上部クラッド層上に設けたオーミック層と、オーミック層上に設けた個別電極と、基板裏面側に設けた共通電極とを少なくとも有する発光ダイオードを、個々に素子分離して複数個アレイ状に配列した発光ダイオードアレイにおいて、前記上部クラッド層と前記活性層とが反対の導電型からなり、前記活性層が1×1017cm-3〜3×1018cm-3のキャリア濃度範囲のN型からなり、その厚みが0.05μm以上であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H01S 5/32

FI (3件)：

H01L 33/00 L ,  H01S 3/18 672 ,  B41J 3/21 L

Fターム (33件)：

2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  2C162FA50 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB25 ,  5F041EE11 ,  5F041FF13 ,  5F073AB02 ,  5F073AB16 ,  5F073AB27 ,  5F073BA07 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB14 ,  5F073CB18 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA21 ,  5F073EA29