特許
J-GLOBAL ID：200903052267661222
成膜方法及び成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000000328
公開番号（公開出願番号）：WO2000-044033
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2000年07月27日
要約：
【要約】水素系キャリアガスとシランガスなどの反応ガスを加熱されたタングステンなどの触媒体に接触させ、これによって生成した反応種にグロー放電開始電圧以下のDC電圧又はこれにAC電圧又はRF電圧を重畳した電圧を印加し、DC又はAC/DC電界又はRF/DC電界を作用させて運動エネルギーを与え、基板上に多結晶シリコンなどの膜を気相成長させることにより高品質膜を得る。
請求項（抜粋）：
反応ガスを加熱された触媒体に接触させ、この反応ガスの接触倍への接触により生成した反応種にグロー放電開始電圧以下の電界を作用させて運動エネルギーを与え、基体上に所定の膜を気相成長させる成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 A
