固体撮像素子

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288732
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111030
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】狭チャネル効果による垂直転送効率の悪化を防ぐことができる固体撮像素子を提供すること。【解決手段】垂直電荷転送路205がその片側が素子分離領域202に接して画定される第1の転送領域と、その両側が前記素子分離領域に接して画定される第2の転送領域とを含み、前記第1の転送領域と前記第2の転送領域とが該第1の転送領域の下流にある連接点において連接し、垂直電荷転送電極208bの一縁部208bEが前記連接点の近傍にくるように垂直電荷転送電極208が配置されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、列方向及び行方向にそれぞれ所定の配列間隔で前記半導体基板上に形成される複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子の間を通り、概略列方向に延びる垂直電荷転送路と、前記複数の光電変換素子の間を通り、概略列方向に延びる素子分離領域と、前記垂直電荷転送路の上部に形成され、所定の駆動パルスが印加されて前記垂直電荷転送路にある電荷を該垂直電荷転送路の下流に向かって転送する複数の垂直電荷転送電極とを有する固体撮像素子において、前記垂直電荷転送路は、その片側が前記素子分離領域に接して画定される第1の転送領域と、その両側が前記素子分離領域に接して画定される第2の転送領域とを含み、前記第1の転送領域と前記第2の転送領域とが該第1の転送領域の下流にある連接領域において連接し、前記垂直電荷転送電極の一縁部が前記連接領域の近傍にくるように該垂直電荷転送電極が配置されることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 F , H04N 5/335 U , H01L 27/14 B

Fターム (17件)：

4M118AA03 , 4M118AB01 , 4M118BA13 , 4M118CA03 , 4M118DA03 , 4M118DA12 , 4M118DA18 , 4M118DB08 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA35 , 5C024AA01 , 5C024FA01 , 5C024GA01 , 5C024GA14 , 5C024GA27 , 5C024JA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-272416 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-110668
特開平2-159063

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