特許
J-GLOBAL ID：200903052275804750
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059862
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260850
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】半導体チップを樹脂封止した後の外部接続端子形成工程が不要になり、工程数が少なくて製造コストの低減が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板20と、素子形成面に複数の接続パッドを有し、素子形成面の裏面が基板のチップ搭載面にダイボンディングされた半導体チップ10と、チップの少なくとも一部の接続パッドに一端が接続され、その中間部がチップの素子形成面に向かって戻るように弯曲し、弯曲先端部24aが外部接続用の端子となる複数本のボンディングワイヤ24と、基板のチップ搭載面上で各ボンディングワイヤの弯曲先端部を残してボンディングワイヤの一部およびチップを覆うように封止する樹脂25を具備する。
請求項（抜粋）：
基板と、素子形成面に複数の接続パッドを有し、前記素子形成面の裏面が前記基板のチップ搭載面にダイボンディングされた半導体チップと、前記半導体チップの少なくとも一部の接続パッドに一端が接続され、その中間部が前記半導体チップの素子形成面に向かって戻るように弯曲し、その弯曲先端部が外部接続用の端子となる複数本のボンディングワイヤと、前記基板のチップ搭載面上で前記各ボンディングワイヤの弯曲先端部を残して前記ボンディングワイヤの一部および前記チップを覆うように封止する樹脂とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 23/12
, H01L 23/28
H01L 21/60 301 A
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/12 L
