特許

J-GLOBAL ID：200903052276382590

半導体装置とその製造方法

発明者： 北村 謙二 ,  小山内 潤
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-028915
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233721
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高電圧で面積の小さい半導体装置を提供する。【解決手段】 電極間に複数種の膜からなる絶縁膜層を挟んだ。電極は、第1導電型ポリシリコン1及び第2導電型ポリシリコン3で形成され、絶縁膜層は、第1シリコン酸化膜2、シリコン窒化膜4、第2シリコン酸化膜5で形成されている。この構成により、リーク電流が減少し、破壊電圧も高くなる。

請求項（抜粋）：

第一導電帯と第二導電帯とで複数種の膜からなる絶縁膜層を挟んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/314 M