特許

J-GLOBAL ID：200903052281284709

半導体製造装置、走査型電子顕微鏡およびウェーハの検査方法

発明者： 古屋 明広
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139903
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340199
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の材料を装置外に取り出さずにSEM観察とプラズマエッチングが可能な半導体製造装置を得る。【解決手段】 プラズマエッチング室4と走査型電子顕微鏡室5とを隣接して設ける。プラズマエッチング室4と走査型電子顕微鏡室5はそれぞれの雰囲気を分離できる仕切り板23で仕切られる。半導体装置の材料の搬送は、ステージ移動用ハンド18,36を用い、雰囲気を分離できるシャッター25を通して直接かつ自動的にプラズマエッチング室4と走査型電子顕微鏡室5との間で行われる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の材料を反応性ガスプラズマを用いてドライエッチングするために第1の雰囲気を形成するプラズマエッチング室と、前記プラズマエッチング室とは空間的な仕切りを介して隣接し、前記半導体装置の材料に電子ビームを掃引して二次電子や反射電子の強度を検出するために前記第1の雰囲気に比べて真空度の高い第2の雰囲気を形成する走査型電子顕微鏡室と、前記プラズマエッチング室と前記走査型電子顕微鏡室の間で前記空間的な仕切りを通過自在にかつ自動的に前記半導体装置の材料を搬送する搬送手段とを備える半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/28 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/302 E ,  H01J 37/20 B ,  H01J 37/28 B ,  H01L 21/66 J