特許
J-GLOBAL ID：200903052281977887

半導体装置の製造方法

発明者：
鈴木 貴志

鈴木 貴志 について

, 
北田 秀樹

北田 秀樹 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-216768
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302570
出願日： 2009年09月18日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】めっき法を用いてCu配線20を形成する際、まず第1の電流密度の条件で第1の平均粒径を有する第1の金属膜を形成し、次いで、第1の電流密度よりも高い第2の電流密度の条件で第1の平均粒径よりも大きい第2の平均粒径を有する第2の金属膜を形成する。その後、第1,第2の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第1,第2の金属膜上にキャップ膜を形成する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
金属配線を備える半導体装置の製造方法において、 絶縁膜に溝を形成する工程と、 前記溝にバリアメタルを形成する工程と、 めっき法を用いて、前記溝に第1の電流密度の条件で第1の平均粒径を有する第1の金属膜を形成し、次いで、前記溝に前記第1の電流密度よりも高い第2の電流密度の条件で前記第1の平均粒径よりも大きい第2の平均粒径を有する第2の金属膜を形成する工程と、 前記溝に形成された前記第1,第2の金属膜の上部に所定元素を導入する工程と、 前記所定元素が導入された前記第1,第2の金属膜上にキャップ膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  C25D 7/12 ,  C25D 5/10
FI (7件)：
H01L21/88 M ,  H01L21/88 N ,  H01L21/285 S ,  H01L21/288 E ,  H01L21/28 301R ,  C25D7/12 ,  C25D5/10
Fターム (68件)：
4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB19 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024CA06 ,  4K024DA07 ,  4K024DA09 ,  4K030BA36 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB37 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD56 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD88 ,  4M104EE05 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK23 ,  5F033KK33 ,  5F033LL01 ,  5F033LL03 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ63 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ66 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033WW10 ,  5F033XX05 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (9件)
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