特許

J-GLOBAL ID：200903052290184288

半導体装置

発明者： 水越 正人 ,  犬塚 肇 ,  長谷川 健 ,  粟野 直実
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274475
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312443
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】モノリシック構造で集積化容易なホトカプラを提供すること。【構成】図1はホトカプラ集積回路半導体装置の構成図で、Si基板1に第一絶縁層2を設けた SOI構造を形成し、半導体単結晶領域をさらに、トレンチ絶縁層5,6 で別々の領域に分離する。分離した半導体単結晶領域3'に発光素子7 、半導体単結晶領域3"に受光素子11を形成する。発光素子はGaAsなどの発光ダイオードをヘテロ成長法により基板上に形成する。そして受発光素子ペアの上にTiO2膜などの光学的透明かつ電気的絶縁材料で光導波路12を設ける。SiO2層から成る各絶縁層2,5,6 は半導体の活性層よりも屈折率が小さく、発光素子7 から出た光の大半は外部に出ずに反射され、また光導波路12に入り込んだ光も、垂直かそれに近い角度で入射した成分以外は外部に漏れることがなく、受光素子11に至る。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板に形成され、単結晶の半導体からなる半導体単結晶領域と、前記半導体単結晶領域に形成され、入力される入力電気信号に応じて光を発する発光素子、前記半導体単結晶領域に形成され前記発光素子の発した光を受光して出力電気信号を出力する受光素子、および前記発光素子から前記受光素子に渡って形成され前記発光素子と前記受光素子とを光学的に結合する光導波路、で構成される複数のチャンネルと、少なくとも、前記半導体単結晶領域の前記チャンネルにおける前記発光素子と前記受光素子との間に形成され、各チャンネル内において前記発光素子と前記受光素子とを電気的に分離する電気的分離手段と、前記半導体単結晶領域における前記複数のチャンネルの相互間に形成され、前記チャンネルの相互間でクロストークを防止するクロストーク防止手段とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/12 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-323879
  
• フォトカプラ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-064918   出願人：横河電機株式会社