半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347887
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189468
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】本発明は、RTP処理を行う際に、ウェーハ面内における温度分布の均一性を確保することができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを課題とする。【解決手段】 RTP処理装置は、回転駆動部24によりウェーハホールダ16を水平回転させることにより、このウェーハホールダ16の上に搭載したSiウェーハ18をその中心点C1 から僅かに偏位した偏心点C2 を中心として偏心自転させるようになっている。このため、RTA処理の際に、Siウェーハ18を偏心自転させて、加熱源としての複数個のハロゲンランプ26とSiウェーハ18との相対位置を変化させながら熱処理を行うことが可能になるため、ハロゲンランプ26の形状を反映した温度分布の不均一性等を解消して、ウェーハ温度の面内均一性を確保することができる。

請求項（抜粋）：

急速熱プロセスを行う半導体装置の製造方法であって、所定の雰囲気ガス中において、加熱源と半導体ウェーハとの相対位置を変化させながら、前記半導体ウェーハの熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-139415 出願人：東京エレクトロン株式会社

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