特許
J-GLOBAL ID：200903052296097255
半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178614
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029567
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体メモリの記憶用キャパシタ容量を大きくする。【構成】 記憶用キャパシタの下部電極の材料として、酸化物導電体または強誘電体を構成する金属元素の合金を用いた。
請求項（抜粋）：
データ書き込みのためのワード線、ビット線およびデータ保存のためのキャパシタを有するトランジスタの記憶用キャパシタであって、誘電体層と前記誘電体層を挟む下部電極および上部電極とから構成され、前記下部電極の材料として酸化物導電体が用いられたことを特徴とする半導体メモリの記憶用キャパシタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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