安定にパッシベートされたIV族半導体ナノ粒子、並びにその製造方法及びその組成物

発明者： ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-526261
公開番号（公開出願番号）：特表2009-504423
出願日： 2006年08月11日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：

有機パッシベーション層で安定にパッシベートされたIV族半導体ナノ粒子、その製造方法、及び安定にパッシベートされたIV族半導体ナノ粒子を用いた組成物が説明される。いくつかの実施形態において、安定にパッシベートされたIV族半導体ナノ粒子は、高フォトルミネセンス量子効率を有する、フォトルミネセントIV族半導体ナノ粒子である。安定にパッシベートされたIV族半導体ナノ粒子は、様々な光電子デバイスに有用な組成物において使用することができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

IV族半導体ナノ粒子の製造方法であって、 (a)少なくとも1つのIV族半導体元素から形成される半導体ナノ粒子を不活性環境において製造するステップと、 (b)不活性環境において、前記半導体ナノ粒子を不活性反応溶液に移すステップと、 (c)前記半導体ナノ粒子の表面を前記不活性反応溶液内において反応させ、前記半導体ナノ粒子と共有結合された有機パッシベーション層を形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

B82B 3/00 , C01B 33/02 , B82B 1/00 , C09K 11/08 , C09K 11/59

FI (5件)：

B82B3/00 , C01B33/02 Z , B82B1/00 , C09K11/08 A , C09K11/59

Fターム (17件)：

4G072AA01 , 4G072BB05 , 4G072CC02 , 4G072DD06 , 4G072DD07 , 4G072GG02 , 4G072NN11 , 4G072PP20 , 4G072QQ09 , 4G072QQ20 , 4G072TT01 , 4G072TT30 , 4H001CA02 , 4H001CC05 , 4H001CC13 , 4H001CF01 , 4H001XA14

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