特許

J-GLOBAL ID：200903052299142537

異なる磁気歪定数領域を伴う薄膜ヘッド

発明者： プラカシュ・カシラジ ,  モハメド・トゥーフィク・クロウンビ ,  ポ-カン・ワン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014120
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【構成】 薄膜磁性層x、yが磁気歪定数λx,λyと厚さtx、tyを有し、x、yが重層接触している領域では、(txλx+tyλy)/(tx+ty)なる有効磁気歪定数λeff を与え、重層接触していない他の領域でも磁気歪定数はλxとλyである磁気薄膜層から構成される、例えば薄膜誘導磁気ヘッドの磁気構造。【効果】 薄膜感度を減少させる異なる磁気歪定数を持つ磁気結合層を用いて、結果として雑音とパフォーマンス減少となり得る応力誘起異方性効果に対し高密度記録ヘッドを利用することにより、ヘッド組立プロセスが最適化可能となる。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の磁極片を有する磁気継鉄と、背後領域の一端に隣接する背後ギャップ部分から磁極先端領域に至る第1磁性層と、その第1磁性層に接触し前記背後ギャップ部分から前記磁極先端領域に実質的に至る第2磁性層とから構成される前記第1磁極片と、背後ギャップ部分でのみ前記第2磁性層に接触し、前記磁極先端領域では前記第1磁性層から離れており、そこで2層間に変換ギャップを形成する第3磁性層と、前記第3磁性層の一部と接触し、前記背後ギャップ部分から実質的に前記磁極先端領域まで広がる第4磁性層とを有し、前記領域で応力誘起ドメインの各相違及び雑音による効果を最小化する目的で前記磁極先端領域及び背後領域で異なる磁気歪度を生じさせるよう選択された前記第1、第2、第3及び第4の磁性層の磁気歪定数の大きさ及び符号とを有する前記第2磁極片と、を有する薄膜磁気ヘッド。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-252111