特許

J-GLOBAL ID：200903052299547383

半導体レーザー

発明者： 玉村 好司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313591
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129722
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 内部ストライプ構造を有する半導体レーザーにおいて、しきい値電流及び動作電流を大幅に低減させるとともに、レーザー構造を形成する層のエピタキシャル成長に要する時間を短くし、成長原料の消費量も少なくする。【構成】 レーザー発振を行わせるために流される電流を制限するための電流狭窄層7をn型GaAs層8とその上に積層されたn型Alx Ga1-x As層9とにより形成し、このn型GaAs層8とn型Alx Ga1-x As層9とのヘテロ界面をAl組成の不均一及び/又は凹凸が存在する粗悪な界面とする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層と、レーザー発振を行わせるために流される電流の通路を制限するための電流狭窄層とを具備する半導体レーザーにおいて、上記電流狭窄層中に組成不均一面及び/又は凹凸面が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。