特許

J-GLOBAL ID：200903052300388871

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 山本 稔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247910
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060189
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】単層電荷転送電極を形成する工程において、電極材質であるタングステンの異常膨張及び電極間隙部の破綻を防止できる製造方法および固体撮像装置を提供する。【解決手段】隣接する転送電極の間に台状パターンを設け、多層構造の転送電極膜をゲート絶縁膜及び台状パターン上に堆積し、台状パターン領域で転送電極膜は段差ができ、さらに転送電極膜の上面を平坦化し、その上に保護膜を形成して、転送電極の上層膜が転送電極の下層膜および保護膜に囲まれて、露出しないようになる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成され、入射光に応じた電荷を生成する受光部と、前記受光部を含む前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に、前記受光部で生成された電荷を転送する転送電極とを有する複数の固体撮像素子を含み、前記複数の固体撮像素子の各前記転送電極が同じ層に所定の間隔で並列に配置され、隣接する前記転送電極の隣り合う端部では段差を有する固体撮像装置。

IPC (6件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/43 ,  H04N 5/335

FI (8件)：

H01L 21/28 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 D ,  H01L 29/46 A ,  H01L 29/46 R ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 Q

Fターム (66件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104DD72 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE06 ,  4M104EE09 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG17 ,  4M104HH12 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA19 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GD04 ,  5C024CY47 ,  5C024GY01 ,  5F033HH03 ,  5F033HH05 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH34 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR12 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033TT06 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28