特許

J-GLOBAL ID：200903052302917278

レジストパターン形成方法及びリソグラフィシステム

発明者： 三本木 省次
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091217
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】光露光と電子ビーム露光の双方を行った場合にも垂直形状のレジスト側壁を形成することを可能とする。【解決手段】ウェハ21の主面上に形成され、光及び荷電ビームに対して感度を有するネガレジスト22に向けて荷電粒子線を用いてパターン描画を行い、該描画後のウェハ21に加熱処理を施す第1の工程と、光露光によりネガレジスト22のパターン転写を行い、該パターン転写後に、ウェハ21の裏面側から加熱するとともに該ウェハ21の主面側から熱吸収を行うことにより、ウェハ21の膜厚方向に熱エネルギーの勾配を与えて熱処理を施す第2の工程と、前記第1及び第2の工程の後に現像処理を行う第3の工程とを含む。

請求項（抜粋）：

被処理基板の主面上に形成され、光及び荷電ビームに対して感度を有するレジスト膜に向けて荷電粒子線を用いてパターン描画を行い、該描画後の被処理基板に加熱処理を施す第1の工程と、光露光により前記レジスト膜のパターン転写を行い、該パターン転写後に、前記被処理基板の裏面側から加熱するとともに該被処理基板の主面側から熱吸収を行うことにより、前記レジスト膜の膜厚方向に熱エネルギーの勾配を与えて熱処理を施す第2の工程と、前記第1及び第2の工程の後に現像処理を行う第3の工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 511

FI (6件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 541 Z

Fターム (19件)：

2H095BA02 ,  2H095BA07 ,  2H095BA08 ,  2H096AA25 ,  2H096EA14 ,  2H096FA01 ,  2H096GB03 ,  2H097AA13 ,  2H097CA13 ,  2H097CA16 ,  2H097HB03 ,  2H097LA10 ,  5F046AA05 ,  5F046AA09 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18 ,  5F056DA13 ,  5F056DA22