特許
J-GLOBAL ID：200903052305625472
パワー電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250084
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090579
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 小形で大電流容量化が容易なパワー電界効果トランジスタの実現。【構成】 P型のソースコンタクト領域(2)となるサブストレート(1a)上にエピタキシャル成長層(1b)を積層形成してなる半導体基板(1)の表面側に、バックゲート領域(4)とドレイン領域(3)が形成され、バックゲート領域(4)の表面中央部にソース領域(5)が形成され、さらにソースコンタクト領域(2)からバックゲート領域(4)とソース領域(5)の中央部を貫通する縦方向にソース結合領域(6)が形成される。半導体基板(1)の表面側に酸化膜(7)、PN短絡電極(10)、ゲート電極(8)、ドレイン電極(9)が形成され、裏面側にソース電極(11)が形成される。PN短絡電極(10)は、半導体基板(1)表面に露出させたソース領域(5)とソース結合領域(6)を短絡する。ドレイン領域(3)は酸化膜(7)上に自由な大面積パターンで形成される。
請求項（抜粋）：
ドレイン電極を表面より取り出すパワー電界効果トランジスタにおいて、裏面側にソース電極が形成された半導体基板の表面側にドレイン領域とバックゲート領域を、さらにバックゲート領域にソース領域を形成し、このソース領域と裏面側の前記ソース電極間に両者を結合するソース結合領域を前記バックゲート領域を貫通させて形成したこと、および、前記半導体基板の表面全域に、ゲート電極を埋設した酸化膜を形成し、この酸化膜上に前記ドレイン領域に導通させてドレイン電極を形成し、基板表面からドレイン電極、裏面からソース電極を導出したことを特徴とするパワー電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 321 X
