特許
J-GLOBAL ID：200903052318979842
ドライエッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335720
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201818
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は静電吸着による半導体ウエハの温度制御をしつつもチャージアップによる損傷や、エッチング終了後の静電吸着の残留によるウエハの搬送トラブルのない半導体デバイスを製造する装置を提供することを目的とする。【構成】 下部電極15は体積抵抗率1×108〜109Ωcmとしたセラミックを電極表面に被覆した構成となっており、チャージアップによる損傷や、エッチング終了後の静電吸着の残留によるウエハの搬送トラブルのない電極が得られる。
請求項（抜粋）：
被エッチング部材の温度制御をする手段を有する第1の電極と前記第1の電極と平行に対向して配した第2の電極と、前記第1の電極及び第2の電極を備えた真空容器と、前記真空容器内に所定のエッチングガスを送りこむ手段と、前記真空容器内のガスを排気する手段と、前記第1の電極及び第2の電極間に高周波電力を印加する手段からなり、かつ前記第1の電極表面のうち、前記高周波電力を印加すると共に、前記被エッチング部材と接触する面及びエッチングガスに接触する面を面積抵抗率を1×108〜109Ωcmとした絶縁膜により被覆したことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, B24B 37/00
, H01L 21/68
, H05K 3/06
