特許
J-GLOBAL ID：200903052319174953

導電膜の形成方法、配線基板、電子デバイスおよび電子機器

発明者：
松井 邦容

松井 邦容 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-311589
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128228
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】導電性および基板との密着性に優れ、厚膜化が可能な導電膜の形成方法、かかる導電膜の形成方法により形成された導電膜を有する配線基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の導電膜の形成方法は、基板2上に、所定パターンの導電膜3を形成する方法であり、基板2上に、導電膜3のパターンとほぼ等しいパターンとなるように、液滴吐出法により金属粒子31aを含有する金属膜31を形成し、その後、無電解メッキを少なくとも1回行うことにより、金属膜31の表面を覆うようにメッキ膜32を形成して、導電膜3を得る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に、所定パターンの導電膜を形成する導電膜の形成方法であって、 前記基板上に、前記導電膜のパターンとほぼ等しいパターンとなるように、液滴吐出法により金属粒子を含有する金属膜を形成し、 その後、無電解メッキを少なくとも1回行うことにより、前記金属膜の表面を覆うようにメッキ膜を形成して、前記導電膜を得ることを特徴とする導電膜の形成方法。
IPC (5件)：
H05K 3/24 ,  G09F 9/00 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/38
FI (5件)：
H05K3/24 C ,  G09F9/00 342Z ,  H05K1/09 C ,  H05K3/10 D ,  H05K3/38 C
Fターム (46件)：
4E351AA01 ,  4E351AA06 ,  4E351AA18 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB31 ,  4E351BB33 ,  4E351BB38 ,  4E351CC07 ,  4E351CC11 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD21 ,  4E351DD52 ,  4E351GG02 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA22 ,  5E343AA38 ,  5E343BB14 ,  5E343BB15 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB52 ,  5E343BB71 ,  5E343BB72 ,  5E343CC72 ,  5E343CC73 ,  5E343DD12 ,  5E343DD33 ,  5E343EE21 ,  5E343ER31 ,  5E343GG02 ,  5G435AA17 ,  5G435BB06 ,  5G435BB12 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM