特許

J-GLOBAL ID：200903052320520113

フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子

発明者： 高 次元 ,  李 根守 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-244918
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081141
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 157nm光源で用いることができるフォトレジスト用共重合体を提供する。【解決手段】 下記式(5)に示されるフォトレジスト共重合体を含むフォトレジスト組成物は、エッチング耐性、耐熱性及び接着性が優れ、現像液のTMAH水溶液に現像可能であるため、特に157nm光源を利用したリソグラフィー工程に非常に有効に用いることができる。【化1】前記式で、RはC1〜C10の直鎖又は側鎖アルキレン、エーテル、エステル、或いはケトンであり、X、G、L及びMはそれぞれCH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、i及びjは0〜2の中から選択される整数であり、w:x:y:zは0〜85mol%:5〜90mol%:5〜90mol%:5〜 90mol%である。

請求項（抜粋）：

(a)下記式(1)で示される化合物と、(b)下記式(2)で示される化合物と、(c)下記式(3)で示されるテトラフルオロエチレンを含むことを特徴とするフォトレジスト用共重合体。【化1】(前記式で、Rは置換又は非置換された炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキレン、置換又は非置換された炭素数C1〜C10のエーテル、置換又は非置換された炭素数C1〜C10のエステル、或いは置換又は非置換された炭素数C1〜C10のケトンであり、X及びGはそれぞれCH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、jは0〜2の中から選択される整数である。)【化2】(前記式で、L及びMはそれぞれCH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、R*は酸に敏感な保護基であり、jは0〜2の中から選択される整数である。)【化3】

IPC (16件)：

C08F232/00 ,  C08F 2/02 ,  C08F 2/04 ,  C08F214/26 ,  C08F222/06 ,  C08F234/02 ,  C08F234/04 ,  C08K 5/00 ,  C08L 27/18 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027

FI (16件)：

C08F232/00 ,  C08F 2/02 ,  C08F 2/04 ,  C08F214/26 ,  C08F222/06 ,  C08F234/02 ,  C08F234/04 ,  C08K 5/00 ,  C08L 27/18 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/30 502 R