特許

J-GLOBAL ID：200903052323422678

半導体装置の溝配線の形成方法

発明者： 久保 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311996
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138220
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 金属膜研磨後におけるウェハ表面の配線密集部の平坦性を確保することにより、半導体装置の電気的特性の劣化を防止し次工程を容易にすることができる半導体装置の溝配線の形成方法を提供する。【解決手段】 溝5間の領域がそれ以外の領域よりも厚いプラズマ酸化膜2を形成する工程と、溝5を埋め込むようにしてAlCu/Ti膜6をプラズマ酸化膜2上に形成する工程と、AlCu/Ti膜6を少なくともプラズマ酸化膜2が露出するまで研磨する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

溝間の領域がそれ以外の領域よりも厚い絶縁膜を形成する工程と、前記溝を埋め込むようにして金属膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、前記金属膜を少なくとも前記絶縁膜が露出するまで研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の溝配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 R

Fターム (22件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS15 ,  5F033WW02 ,  5F033WW05 ,  5F033XX01