特許
J-GLOBAL ID：200903052328417869
半導体集積回路内部相互配線の検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313320
公開番号（公開出願番号）：特開平7-167924
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路の内部相互配線の欠陥を短時間で非破壊で検出する。【構成】 半導体集積回路チップ1に電圧供給源9で電流を供給した状態で、半導体集積回路チップ1上に細く絞ったレーザビームを走査しながら照射し、変動電流検出/増幅部で電流変化の大きな箇所を検出する。このとき、試料に照射するレーザビームはOBICの応答しない波長範囲を選択する。これにより素子部等では特に温度上昇に伴う電流変化によって生じた欠陥のみが検出されることからOBIC像と区別する必要がなくなった。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の内部相互配線に電流を流した状態でレーザビームを照射し、内部相互配線に流れる電流の変化を検知することで、前記内部相互配線の欠陥を検出する装置において、チップに照射するレーザビームによって電子-正孔対が励起しないレーザビームの波長範囲を選択する手段を備えることを特徴とする半導体集積回路内部相互配線の検査装置。
IPC (3件)：
G01R 31/302
, G01R 31/26
, H01L 21/66
