特許

J-GLOBAL ID：200903052333892460

プラズマ処理装置及びウエハ

発明者： 土井 秀
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-157087
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056117
出願日： 2003年06月02日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】放電が集中する個所を制御することにより被処理基板に異物が付着することを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波を用いてプラズマを発生させて被処理基板にプラズマ処理を施すものである。このプラズマ処理装置は、該マイクロ波を透過させる石英板3と、該石英板3を支持するアルミニウム製のベース13と、該石英板3の下面に内向きに形成され且つ該ベース13と該石英板3との接点から離れた位置に形成された段差17と、を具備するものである。従って、段差17に放電を意図的に集中させて放電が集中する個所を制御することにより、被処理基板に異物が付着することを抑制することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

円筒形状の容器を有するプラズマ処理装置であって、 前記円筒形状の容器の内面上には、突起部が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  H05H1/46

FI (3件)：

H01L21/302 104H ,  B01J19/08 E ,  H05H1/46 A

Fターム (20件)：

4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB21 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4G075FA08 ,  5F004AA01 ,  5F004BA01 ,  5F004BA16 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004DB26 ,  5F004EB07