光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319781
公開番号（公開出願番号）：特開平8-179493
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】光を用いて、光の回折による最小転写寸法の限界を超えた0.2μm以下のパターンを転写する技術を提供すること。【構成】本発明は、遮光膜(原画パターン)のないマスク基板側にマスク基板と同じあるいは近い屈折率を持つプリズムを設置し、レーザ光をプリズムの1斜面から入射して原画パターン面で入射光を全反射させ、プリズムのもう1つの斜面から大気中に取りだすように構成した光照明系を持ち、さらに、このマスクの原画パターン側に試料の感光材(レジスト)を密着し、エバネッセント波のみ試料の感光材に伝搬させて、0.2μm以下の微小パターンを転写できるようにした。

請求項（抜粋）：

光を用いてマスク基板の表面の導電材料で構成されたマスク面に描かれている原画パターンを光反応する感光材料に焼き付ける方法において、少なくとも前記マスク基板の原画パターン側の内側境界部で照明光が全反射する角度で光を照射することを特徴とするパターン露光または転写方法。

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