特許
J-GLOBAL ID：200903052342227843
フェライト焼結体、その製造方法及びインダクタ部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
窪田 法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-051313
公開番号（公開出願番号）：特開2004-300016
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】 Ni-Cu-Zn系フェライト中のCuの解離を抑制して、飽和磁束密度Bsを良好ならしめ、インダクタの直流重畳特性を良好ならしめることが望まれていた。【解決手段】 Ni-Cu-Zn系フェライト焼結体の断面において、Cu偏析部の面積の割合を0〜2.0%とし、結晶粒内平均Cu濃度(mol%)に対する結晶粒界近傍平均Cu濃度(mol%)の比を0.96〜1.00とした。また、焼結工程の冷却段階を-300〜-2000°C/hrの降温速度で冷却させた。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
Ni-Cu-Zn系のフェライト焼結体からなり、該フェライト焼結体の結晶粒内平均Cu濃度(mol%)に対する結晶粒界近傍平均Cu濃度(mol%)の比が0.96〜1.00であることを特徴とするフェライト焼結体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G018AA16
, 4G018AA23
, 4G018AA24
, 4G018AB09
, 4G018AC01
, 4G018AC02
, 4G018AC12
, 4G018AC16
, 5E041AB01
, 5E041AB03
, 5E041BD01
, 5E041CA02
, 5E041HB03
, 5E041NN02
, 5E041NN18
