特許
J-GLOBAL ID：200903052342687780
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284353
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112108
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 複数の異なる波長のレーザ光を使用する際の装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 第1レーザ部50上には第2レーザ部60が形成されている。第1レーザ部50を駆動するときは、電極34,36間に駆動電圧を印加して電流を注入する。第2レーザ部60を駆動するときは、電極32,34間に駆動電圧を印加して電流を注入する。第1レーザ部50のコンタクト層18と、第2レーザ部60のクラッド層22とがいずれもp型となっている。このため、駆動電圧は良好に第2レーザ部60に印加され、レーザ光が発振される。第2レーザ部60を逆の導電型とすると、コンタクト層18とクラッド層22との間にp-n接合が形成され、第2レーザ部60の発振が妨げられてしまう。
請求項（抜粋）：
第1の波長のレーザ光を出力する第1のレーザ部;この第1のレーザ部上の一部に連続して形成されており、異なる第2の波長のレーザ光を出力する第2の半導体レーザ部;を少なくとも含み、前記第2のレーザ部を構成する各層を、前記第1のレーザ部の対応する層と逆の導電型としたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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