特許

J-GLOBAL ID：200903052352500106

サブミクロン・デバイスのための極めて浅い接合領域とその製造法

発明者： ジェリー チェ - イェン フー ,  クィ - ツォン ホン ,  スチーブ シィア ,  イー - チン チェン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155481
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070270
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 小さなシート抵抗値と良好な漏洩特性とを有する、サブミクロン・デバイスのための極めて浅い接合領域を作成する方法を提供する。【解決手段】 シリコンの膜が基板100の上に沈着されることにより、高位置S/D106が作成される。このシリコン膜の上に金属の膜が沈着され、そしてこの金属膜とシリコン膜との反応が行われて、ケイ化物膜108が作成される。このケイ化物膜が形成される際、シリコン膜が完全に消費されることが好ましい。ケイ化物膜の形成の前に金属膜の中に、またはケイ化物膜の形成の後にケイ化物膜の中に、必要な添加不純物の注入が行われる。この添加不純物をケイ化物膜から外に駆動するために高温度での焼き鈍しが行われ、それにより基板100の中に200オングストローム以下の深さを有する接合領域104が作成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上にケイ化物の膜を作成する段階と、前記ケイ化物の膜に添加不純物を注入する段階と、浅い接合領域を作成するために、前記半導体基板の中に前記添加不純物が拡散するように前記ケイ化物の膜に焼き鈍しを行う段階と、を有する、半導体基板の中に浅い接合領域を作成する方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/225 M ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 301 P