特許

J-GLOBAL ID：200903052355519304

配線構造、半導体装置、MRAMおよび半導体装置の製造方法

発明者： 栄森 貴尚
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247860
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148063
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】たとえ配線サイズが縮小化したとしても、そこに流す電流量の減少を抑制することができる(大電流密度の電流を流すことができる)配線構造等を提供する。【解決手段】本発明に係る配線構造は、下地上に形成された絶縁膜1内に配設される。ここで、絶縁膜1の表面内には溝部2が形成されている。そして、当該溝部2内に、多数のカーボンナノチューブ4が含まれている。つまり、本発明に係る配線構造は、少なくとも、多数のカーボンナノチューブ4を含んでいることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置の配線構造であって、 前記半導体装置は、下地上に形成された絶縁膜を備え、 前記配線構造は、 前記絶縁膜の表面内に形成される溝部と、 前記溝部内に存する、多数のカーボンナノチューブとを、備えている、 ことを特徴とする配線構造。

IPC (5件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (3件)：

H01L21/88 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (37件)：

5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM04 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR06 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV16 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19