特許
J-GLOBAL ID：200903052365750543
化合物半導体結晶基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233506
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094420
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体結晶基板の製造方法に関し、Si基板上に成長したGaAs等のIII-V族化合物半導体層の結晶欠陥密度を1×106 cm-2以下に低減する化合物半導体結晶基板の製造方法を提供する。【構成】 Si基板1の上にGaAs等のIII-V族化合物半導体結晶層2をMOCVD等によってエピタキシャル成長し、その上に非晶質のGaAs等のIII-V族化合物半導体層3を成長し、このIII-V族化合物半導体結晶層2と非晶質のIII-V族化合物半導体層3を熱アニールした後、この非晶質のIII-V族化合物半導体層3を含むIII-V族化合物半導体結晶層2の部分を機械的化学的研磨等によって除去し、その上に新たなGaAs等のIII-V族化合物半導体結晶層4をエピタキシャル成長する。
請求項（抜粋）：
Si基板上にIII-V族化合物半導体結晶層をエピタキシャル成長する工程と、該III-V族化合物半導体結晶層の上に非晶質のIII-V族化合物半導体層を成長する工程と、該III-V族化合物半導体結晶層と非晶質のIII-V族化合物半導体層をアニールする工程と、該非結晶のIII-V族化合物半導体層を含むIII-V族化合物半導体結晶層の部分を除去する工程と、該III-V族化合物半導体結晶層の上に、新たなIII-V族化合物半導体結晶層をエピタキシャル成長する工程を含むことを特徴とする化合物半導体結晶基板の製造方法。
IPC (2件)：
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