特許
J-GLOBAL ID：200903052366568285
異物分析方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171226
公開番号（公開出願番号）：特開平11-125602
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】物体表面上の微細な異物の検出と分析とを短時間で自動的に行うことができ、半導体製造ラインなどでのインライン計測にも適するものを提供する。【解決手段】検査対象の物体(ウェハ11)をXYステージ21上に載置し、まず、レーザ光源33からの相対的に大きなスポットサイズ(例えば1000μm)のレーザ光を用いて物体(ウェハ11)の表面を走査し、異物を検出してその異物の概略位置を求める。次に、レーザ光源32からの相対的に小さなスポットサイズ(例えば10μm)のレーザ光を用いて物体(ウェハ11)の表面を走査し、レーザビームにおける動径方向のレーザ光強度分布も利用して、スポットサイズよりも細かい位置精度で異物の精測位置を求める。そしてこの精測位置の近傍に対し、走査型電子銃41によって電子ビームを走査し、二次電子像や特性X線を観測して異物の分析を行う。
請求項（抜粋）：
検査対象の物体の表面に存在する異物を検出して分析する異物分析方法であって、第1のスポットサイズのレーザ光を用いて前記物体の表面を走査し、異物を検出して当該異物の概略位置を求める第1の工程と、前記第1のスポットサイズよりも小さく、かつ動径方向にレーザ光強度が変化する第2のスポットサイズのレーザ光を用い、前記概略位置の近傍で前記第2のスポットサイズのレーザ光を走査し、前記第2のスポットサイズよりも高い位置精度で前記異物の精測位置を求める第2の工程と、前記精測位置の近傍で電子ビームを走査し、前記異物の分析を行う第3の工程とを有する異物分析方法。
IPC (5件)：
G01N 21/88
, G01B 11/30
, G01N 23/225
, G01N 23/227
, H01L 21/66
G01N 21/88 E
, G01B 11/30 D
, G01N 23/225
, G01N 23/227
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 L
