面発光型半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135050
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332356
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】長寿命化を図るとともに製造を容易にする。【解決手段】基板11の一表面に第1の反射膜12と、活性層13と、第2の反射膜14とが形成され、その第2の反射膜14の表面および基板11の裏面には電極層15、16がそれぞれ設けられている。第1、第2の反射膜12、14は、それぞれ、同一材料系の無秩序層21と自然超格子層22とが交互に多層にわたり積層されたものからなる。

請求項（抜粋）：

基板の一表面上に形成された、同一材料系の自然超格子層と無秩序層とが繰り返し積層された第1の反射膜と、該第1の反射膜の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された、同一材料系の自然超格子層と無秩序層とが繰り返し積層された第2の反射膜と、該第2の反射膜の上および上記基板の裏面に形成された電極層とを備えることを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。

Fターム (6件)：

5F073BA02 , 5F073BA04 , 5F073BA07 , 5F073CA04 , 5F073CB02 , 5F073EA28

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