特許

J-GLOBAL ID：200903052370089057

低誘電率多層回路基板の製造方法

発明者： 亀崎 洋 ,  若村 正人 ,  亀原 伸男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223217
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063371
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 多層回路基板に関し、基板の低誘電率化を目的とする。【構成】 中空シリカ微小球の表面にゾル・ゲル法により二酸化硅素または硼珪酸ガラスを被覆して比重が増加した中空微小球を作り、この中空微小球を合成樹脂またはガラスセラミックスを主成分とするスラリー中に均一に分散させて絶縁層またはグリーンシートを作り、これを積層して低誘電率多層回路基板を構成する。

請求項（抜粋）：

中空シリカ微小球の表面にゾル・ゲル法により二酸化硅素または硼珪酸ガラスを被覆して比重が増加した中空微小球を作り、該中空微小球を合成樹脂に添加して均一に分散せしめ、該合成樹脂を用いて絶縁層を形成することを特徴とする低誘電率多層回路基板の製造方法。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  B32B 18/00 ,  B32B 27/00 ,  H05K 1/03