特許

J-GLOBAL ID：200903052374587060

半導体装置

発明者： 横 山 裕 也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015688
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 複数のトランジスタ素子が相互に電磁気的に干渉するのを防止するようにしたものである。【解決手段】 各トランジスタ素子16a,16bの外周部にはグランド部に電気的に接続する配線部31を備えたものである。

請求項（抜粋）：

複数の高周波高出力のトランジスタ素子を集積した半導体装置において、各トランジスタ素子の外周部にはグランド部に電気的に接続する配線部を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 W ,  H01L 29/80 P

Fターム (20件)：

5F038BH10 ,  5F038BH20 ,  5F038CA12 ,  5F038CD02 ,  5F038CD04 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB35 ,  5F064CC07 ,  5F064CC08 ,  5F064EE25 ,  5F064EE27 ,  5F064EE28 ,  5F064EE33 ,  5F064EE52 ,  5F102FA08 ,  5F102GA01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GS09