特許

J-GLOBAL ID：200903052379195950

横電界構造のアクティブマトリクス型液晶表示素子

発明者： 塚越 智規 ,  津田 圭介 ,  分元 博文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012262
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214474
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 セルギャップの均一性を実現した横電界構造のアクティブマトリクス型液晶表示素子を提供する。【解決手段】 アレイ基板7上に形成された共通電極2と、第1絶縁膜10と、第1絶縁膜10上に形成された画素電極4と、画素電極4の全部または一部の下方に配置され、アレイ基板7と第1絶縁膜10との間に形成されたダミー電極9と、共通電極2の全部または一部の上方に配置され、第1絶縁膜10上に形成されたダミー電極19と、アレイ基板7上に形成された蓄積容量部5とを備え、アレイ基板7上から画素電極4上面までの高さh2は、ダミー電極9が形成されている位置においては、アレイ基板7上からダミー電極19上面までの高さh1と実質的に等しく、アレイ基板7上から蓄積容量部5上面までの高さh3も、高さh1と実質的に等しい。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下部電極と、前記基板上および前記下部電極上の全部または一部に積層された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極と、前記上部電極の全部または一部の下方に配置され、前記基板と前記絶縁膜との間に形成された第1のダミー電極と、前記下部電極の全部または一部の上方に配置され、前記絶縁膜上に形成された第2のダミー電極とを備え、前記基板上から前記上部電極上面までの高さは、前記第1のダミー電極が形成されている位置においては、前記基板上から前記第2のダミー電極上面までの高さと実質的に等しいことを特徴とする横電界構造のアクティブマトリクス型液晶表示素子。

IPC (2件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500

Fターム (38件)：

2H092GA14 ,  2H092GA61 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB14 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA01 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092PA03 ,  2H092QA06