特許

J-GLOBAL ID：200903052381580410

薄膜トランジスター、その製造方法および表示装置

発明者： 平野 直人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205712
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048669
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、外周光の反射・散乱特性が良好で、TFTと画素電極の形成に関わる工程を簡略化でき、低コスト化が可能で、薄膜トランジスターおよびその製造方法を提供することにある。また、このTFTを用いた表示特性の優れた反射型表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁基板上に、導電材料で形成されたソース電極5およびドレイン電極4と、このソース電極およびドレイン電極を接続する真性半導体層で形成されたチャンネル層7と、このソース電極およびドレイン電極とチャンネル層との接続面に形成されたp型またはn型の不純物半導体層6と、この半導体チャンネル層上に絶縁層8を介して設けられたゲート電極11とを有する順スタガ型薄膜トランジスターにおいて、前記ソース電極5およびドレイン電極4が少なくとも1層のAl系材料からなる層で形成されており、このソース電極5を表示装置の反射画素電極として用いることが可能な薄膜トランジスター。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、導電材料で形成されたソース電極およびドレイン電極と、このソース電極およびドレイン電極を接続する真性半導体層で形成されたチャンネル層と、このソース電極およびドレイン電極とチャンネル層との接続面に形成されたp型またはn型の不純物半導体層と、この半導体チャンネル層上に絶縁層を介して設けられたゲート電極とを有する順スタガ型薄膜トランジスターにおいて、前記ソース電極およびドレイン電極が少なくとも1層のAl系材料からなる層で形成されており、このソース電極を表示装置の反射画素電極として用いることが可能な薄膜トランジスター。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/33 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/33 ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 626 C