特許
J-GLOBAL ID：200903052381627824

埋込ゲートを備えた縦型MOSトランジスタおよびその製造方法

発明者：
シモン・ドゥレオニビュス

シモン・ドゥレオニビュス について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-503948
公開番号（公開出願番号）：特表2003-536276
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年12月02日
要約：
【要約】本発明は、埋込ゲートを備えた縦型MOSトランジスタおよびそのようなトランジスタの製造方法に関するものである。本発明は、ドレイン(26)上に形成される電気絶縁アセンブリ(28)が、ドレインの両側に電気絶縁ゾーン(42,44)を備えているようにして;チャネル(69)の両側において、電気絶縁アセンブリの直下にキャビティが延在しているようにして;電気絶縁アセンブリの両側に、ゲート(77a,77b)が形成されているようにして;および、ゲートの複数の部分が、キャビティ内に位置しているようにして;縦型MOSトランジスタを製造することを特徴としている。本発明は、エレクトロニクスに対して応用可能である。
請求項（抜粋）：
縦型MOSタイプのトランジスタであって、 -半導体基板(18)と、 -この半導体基板内に形成されたまたはこの半導体基板上に形成された、半導体材料からなるソース(68)と、 -このソース上に形成されるとともに、前記ソースとは逆極性のドーピングタイプとされた半導体材料から形成されたチャネル(69)と、 -このチャネル上に形成されるとともに、前記ソースと同じ極性のドーピングタイプとされた半導体材料から形成されたドレイン(26)と、 -前記チャネルおよび前記ドレインの両側に形成されるとともに、前記ソースおよび前記チャネルおよび前記ドレインから電気的に絶縁されたゲート(77a,77b)と、を具備してなるトランジスタにおいて、さらに、 -前記ドレイン上に形成されるとともに、前記ドレインの両側に位置した電気絶縁ゾーン(42,44)を備えている電気絶縁アセンブリ(28)と、 -前記チャネルの両側において前記電気絶縁アセンブリの直下において延在するキャビティ(78,80)と、を具備するとともに、 前記ゲートが、前記電気絶縁アセンブリの両側に形成され、 前記ゲートの複数の部分が、前記キャビティの内部に位置し、 電気絶縁性薄層(70,72)が、前記チャネルと、前記ゲートの前記複数の部分と、の間において少なくとも延在しており、 さらなる電気絶縁性の厚い層(66,67)が、前記ゲートと前記ソースとの間に延在していることを特徴とするトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336
FI (15件)：
H01L 29/78 652 A ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/78 301 B
Fターム (44件)：
5F140AA11 ,  5F140AA39 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BB01 ,  5F140BB02 ,  5F140BB04 ,  5F140BC12 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140BF51 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BH02 ,  5F140BH05 ,  5F140BH07 ,  5F140BH18 ,  5F140BH26 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK17 ,  5F140BK23 ,  5F140BK28 ,  5F140BK30 ,  5F140CB01 ,  5F140CE20 ,  5F140CF00
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM