特許

J-GLOBAL ID：200903052382884642

基板上の膜堆積均一性を改善する方法及び装置

発明者： エイチ. ピーター ダブリュー. ヘイ ,  ヴェダプラム エス. アチュタラマン ,  ヨハンス エフ. エヌ. スウェンバーグ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-169123
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087270
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 基板上に膜を堆積するための方法と装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、プリウェーハ反応層が、反応チャンバ内に配置されたサセプタ上へ堆積して、膜堆積前にプリウェーハ反応層に被覆されたサセプタを形成する。引き続き、堆積ガスが反応チャンバに供給され、その結果、プリウェーハ反応層に被覆されたサセプタ上と基板上をガスが流れ、プリウェーハ反応層に被覆されたサセプタ上と基板上に膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板に隣接するプリウェーハ反応層を形成するステップと、前記プリウェーハ反応層の上及び前記基板の上に堆積ガスを流し、前記プリウェーハ反応層及び前記基板上に前記膜を堆積するステップと、を含む基板上に膜を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 A ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-177092   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド